高精尖J9注册与先进制程光学量测系统

采用气浮轴承与直驱力矩电机精密运动台，实现每小时高达80片以上的高吞吐检测速度，显著降低量测机台占机时长。

明场反射光检测图形畸变与膜层剥离，暗场偏振散射光检测深层杂质微粒与晶体微管，双通道同步数据采集。

针对未图形化衬底晶圆，可识别极限下探至15nm级别的细小异物颗粒与空洞缺陷，杜绝后续光刻掩模二次污染。

多波长微束斑椭偏光干涉模块，支持0.1nm级分辨率薄膜层厚度精确测定，适应复杂介质叠层膜厚分析。

实时加载GDSII/OASIS设计版图数据库，通过芯片单元间差分比对算法，精准定位关键图形缺失与桥接短路。

内嵌轻量化缺陷特征推理模型，对刮伤、飞溅、残留物与色差进行自动分类，误警率稳定控制在0.5%以内。

无图形晶圆表面颗粒检测机

专门针对硅单晶抛光片、外延片及化合物衬底颗粒检测设计。集成紫外固体激光源与360度环形多探测器，实现整片晶圆极速洁净度定标。

• 极限检测尺寸：≥ 18nm
• 吞吐量：85 WPH (300mm全扫)
• 适用晶圆：Si / SiC / GaN / 玻璃基板

先进制程图形晶圆缺陷检测机

适用于光刻后（ADI）及刻蚀后（AEI）的关键制程图形缺陷筛查。拥有超高数值孔径变倍光学系统，支持微米到亚微米图案精准比对。

• 缺陷捕获率：> 99.2%
• 比对算法：Die-to-Die / Die-to-Database
• 光源配置：宽带深紫外 DUV (266nm-355nm)

晶圆多层薄膜厚度与应力量测仪

针对前道氧化、扩散、CVD/PVD沉积等薄膜工艺厚度量测。高精光谱椭偏技术结合激光干涉法，稳定量测单层或多层介质薄膜折射率与厚度均匀性。

• 膜厚量测范围：0.5nm ~ 35μm
• 量测重复性：3σ ≤ 0.02nm
• 应力量测精度：± 1.5 MPa

金属互连层桥接缺陷全检筛查

在铜互连双大马士革工艺中导入明场检测机台，替代原有离线抽检方案，对关键层实现100%全片扫描。

碳化硅透明晶圆微管与层错检测

针对碳化硅高硬度、宽禁带与高透光特性，定制多角度暗场紫外干涉光路，精准区分体相微管缺陷与表面颗粒。

高密度铜柱 Micro Bump 形状共焦量测

在倒装焊芯片重布线后工序，运用白光共焦技术对微米级微凸点的高度、共面性及底部润湿情况进行全域非接触量测。

大尺寸 SiC 晶圆表面微缺陷的光学无损检测新方法

深入剖析第三代半导体高硬度材料抛光损伤、微位错管及表面凹坑的暗场成像散射机理，提出基于多光谱融合的在线快速检测判定模型。

先进制程光刻掩模与晶圆图形缺陷关联溯源策略

论述在微细线宽节点下，如何通过全片晶圆明场扫描图谱智能比对算法，将重复性缺陷快速归因至光刻机物镜污渍与掩模版微损伤。

多层薄膜沉积过程中热应力导致的晶圆翘曲测量优化

分析高纵横比介质层淀积过程中晶圆受热应力弯曲对光刻对准的影响，探讨利用激光曲率干涉仪实现全晶圆曲率半径亚微米级拟合。